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光刻设备的分类
光刻设备用于半导体制造工艺中的电路设计,它是将图案转移到硅片上的关键设备。 根据光源和光刻工艺类型的不同,光刻设备主要分为以下几类:
1.曝光光源的分类
紫外(UV)光刻机:采用紫外光作为光源,一般采用紫外光作为光源。 193 的波长范围为 nm 至 248 nm。 极紫外(EUV)光刻设备:通过使用波长为13.5nm的极紫外光作为光源,可以实现更精细的图案化。
2.光刻工艺分类
接触式光刻:光刻胶与掩模直接接触,可以将图案转移到硅片上。 接近光刻:光刻胶和掩模之间有很小的间隙,避免了接触光刻造成的缺陷。 投影光刻:掩模版与光刻胶之间有固定距离,通过投影透镜将掩模版图案缩小投影到硅片上。
3.一般分类
KrF曝光设备:这是一种采用248nm KrF激光器作为光源的UV接近曝光设备。 ArF光刻机:采用193nm ArF激光器作为光源的紫外投影光刻机。 EUV光刻机:采用13.5nm极紫外光作为光源的投影光刻机。 水浸光刻设备:利用水作为投影镜头和光刻胶之间的浸没介质,以提高分辨率并减少畸变。 多次曝光光刻机:使用多次曝光工艺来实现所需的图案精度和良率。
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