曝光设备工作原理分析（曝光设备工作原理分析）

光刻设备工作原理

光刻设备是集成电路制造中的重要设备。 。 将设计的电路图案转移到半导体晶圆上。 原则是：

1. 准备光掩模：

首先，在光掩模上创建设计的电路图案。 相应的图案是现成的透明玻璃板。

2.光源产生：

光刻机使用紫外光源（EUV、ArF等），产生波长很短的单色光束。 。 使用。

3.透镜系统：

光束通过透镜系统，被缩小并投射到光掩模上。 透镜系统由多个透镜组组成，用光束均匀地照射掩模图案。

4. 投影到晶圆上：

曝光光束穿过光掩模并照射到涂有光刻胶的硅晶圆上。 光掩模的透明部分允许光线穿过并照亮晶圆，而掩模的不透明部分则阻挡光线并保护晶圆不被曝光。

5.对光刻胶进行显影：

对曝光后的光刻胶进行显影。 即，将其浸泡在显影剂中。 曝光区域的光刻胶溶解，在未曝光区域留下图案。

6. 蚀刻和剥离：

蚀刻暴露的晶圆，去除未受保护的晶圆表面。 然后去除光刻胶，留下设计的电路图案。

光刻设备工作流程：

晶圆装载和曝光光掩模对准显影光刻胶蚀刻晶圆剥离光刻胶

上述步骤通过此过程，光刻设备将设计图案转移到具有极高精度的晶圆，形成了电路的基本结构。