主机参考
| 主机参考：VPS测评参考推荐/专注分享VPS服务器优惠信息！若您是商家可以在本站进行投稿，查看详情！此外我们还提供软文收录、PayPal代付、广告赞助等服务，查看详情！ |
| 我们发布的部分优惠活动文章可能存在时效性，购买时建议在本站搜索商家名称可查看相关文章充分了解该商家！若非中文页面可使用Edge浏览器同步翻译！PayPal代付/收录合作 |
光刻设备原理
光刻设备是制造半导体芯片的核心设备。 通过将设计图案转移到晶圆表面来创建电路。 其工作原理如下：
掩模：包含芯片设计的透明或半透明薄膜。 光源：通常使用紫外或极紫外 (EUV) 光源。 准直透镜：将光线准直成平行光束。 投影透镜：将平行光束聚焦到晶圆表面以形成掩模图案。 晶圆：是需要蚀刻的硅晶圆。 光刻胶：是一种涂在晶圆表面的光敏聚合物。
光刻设备的分类
光刻设备根据所使用的光源和分辨率进行分类。
紫外光刻设备（DUV）：
使用紫外光源，分辨率从22纳米到95纳米。 极紫外光刻(EUV)：使用分辨率小于5纳米的短波长极紫外光源。 电子束光刻（E-beam）：使用电子束而不是光进行蚀刻，分辨率低至几纳米。 离子束光刻机(IB)：离子束提供与电子束光刻机相当的分辨率。
区别
分辨率：EUV光刻机分辨率最高，其次是电子束光刻机和IB光刻机。 成本： EUV光刻机最贵，其次是电子束光刻机和IB光刻机。 吞吐量： DUV光刻机的吞吐量最高，其次是EUV光刻机和电子束光刻机。
应用
虽然DUV光刻设备广泛应用于成熟的半导体工艺制造，但EUV光刻设备越来越多地应用于先进工艺。 电子束和 IB 光刻设备主要用于掩模制造和微机电系统 (MEMS) 制造等专业应用。
评论前必须登录！
注册